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第三代半导体材料重要性凸显 多家公司积极布局相关项目

2020-04-15 16:27来源:证券时报网

宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料,是指禁带宽度在2.3eV(电子伏特)及以上的半导体材料(而硅的禁带宽度为1.12eV),其中较为典型的和成熟的包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,其余包括氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等的研究尚处于起步阶段。

首创证券研报指出,第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。以氮化镓(GaN)为例,目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子,如军事通讯、电子干扰、雷达等领域;在民用领域,氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。

5G基站射频器件对高频材料的需求,以及功率器件正向着大功率化、高频化、集成化方向发展的趋势凸显出了第三代半导体材料的重要性及广阔前景。而该领域基本由美日企业主导,我国相对薄弱,研发仍主要集中于军工领域。

该机构指出,国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,随着国内多家企业开始重视该领域,积极布局相关项目,我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。

附:第三代半导体材料领域近期布局

4月12日,露笑科技发布2020年度非公开发行股票预案,非公开发行股票募集资金总额不超过10亿元,扣除发行费用后将用于“新建碳化硅衬底片产业化项目”、“碳化硅研发中心项目”等。

4月11日,耐威科技公告,拟投资设立全资子公司聚能海芯,以此作为项目公司,组织资源投资建设自主氮化镓微波及功率器件生产线。

4月10日,浙江博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目正式开工。该项目于2019年11月7日签约落地,总投资25亿元,总建筑面积约8.9万平方米,项目分两期实施,其中一期建筑面积约5万平方米,建设6寸(兼容4寸)晶圆氮化镓(GaN)芯片生产线,设计月产能为1000片。二期建筑面积约3.9万平方米,建设6寸(兼容4寸)GaN芯片生产线和外延片生产线,设计月产能为3000片GaN射频芯片、月产能20000片GaN功率芯片。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上,年税收6600万元以上。

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